Model R-DT650

Model R-DT650 是面向复合集流体镀铜与 EMI 电磁屏蔽膜开发的真空卷绕镀膜设备，支持双面同步蒸镀铜（Cu），单面均匀性 ±3%。

1μm 铜层方阻可达 ≤0.03Ω/sq，电磁屏蔽效能 ≥60dB，并可实现在线 CuO 黑化处理（反射率 ≤20%），适用于 PET/PI 等 10μm 以下超薄基膜。

电子束蒸发功率 30-300kW，走带速度 5-30m/min，为复合集流体与电磁屏蔽功能膜提供高效量产平台。