基材和靶材-基材とターゲット材

在真空镀膜过程中，被镀膜的材料称为基材；膜的成分称为v材。

PVD真空镀膜材料要求 #

pvd要求基材是导电的（外表面可以是绝缘的，但是影响结力）。

靶材的种类很多，通常分为电弧靶和蒸发靶。

电弧靶 #

电弧激发的优点是镀率快，原子离化率高，离子能量高，因此能与气体直接反应，形成氮化物（Nitride），碳化物（Carbide），氮碳化物（Carbon Nitrdie）等与金属基材结合良好的膜层，例如TiN，TiC，TiCN。膜厚通常可达数um，比溅镀膜厚高一个数量级。电弧激发的缺点是易产生粗大液滴，使膜层粗糙暗淡，也降低抗磨耗性。

电弧靶通常是圆形，直径3"~6"，厚度30~50mm，一体成形，不加铜背板，靶面边缘有凸起的阶梯，以防止电弧逸出97v面，以螺牙锁定在电弧枪上。

溅镀靶 #

广泛用在各种光电及半导体产业.溅镀膜层细致平滑，膜厚可精密控制，重性覆好，从导体到绝缘体皆可做为材。

溅镀靶主要是圆形或方形的平板，厚度3~15mm，以6~10mm居多。溅镀靶的厚度比电弧靶薄很多，是为了让靶背後后的磁场可以穿透到靶前方，进而生成等离子。